摘要:本文主要向大家介绍了Flash基础入门的nand flash_笔记,希望学习这篇文章,对大家的Flash基础入门有所帮助。
本文主要向大家介绍了Flash基础入门的nand flash_笔记,希望学习这篇文章,对大家的Flash基础入门有所帮助。
名次解释:
BBM : Bad Block Management 坏块管理
BBT : Bad Block Table 坏块表
ECC : Error Correction Code 错误校验码
MTD : Memory Technology Device 内存技术设备
Norflash:以块为单元,写入时需要先擦除,擦除和写入的速度很慢,但Norflash具有SRAM接口,有单独的地址总线和数据总线,接口简单,像访问ROM一样,读取速度快,能随机访问存储单元。通常用来存储启动代码,价格贵1-16M居多
Norflash有两种标准JEDEC 和CFI
JEDEC Joint Electron Device Engineering Council 电子元件工业联合会,JEDEC用来帮助程序读取Flash的PID和VID,以确定flash的大小和算法。
CFI Common Flash Interface 公共闪存接口。是一个公开标准的从flash中读取数据的接口,是系统软件查询已安装的flash的各种参数,市面Norflash大多支持CFI。
CFI规定先往flash数据总线写入55H,再写98H,然后从地址10H读取3Byte,如果是'Q' 'R' 'Y' ,那么遵循CFI标准。
cfi.h规定了 查询的数据结构
[cpp] view plain copy 1. /* Basic Query Structure */ 2. struct cfi_ident { 3. uint8_t qry[3];//’Q‘,'R','Y' 4. uint16_t P_ID; 5. uint16_t P_ADR; 6. uint16_t A_ID; 7. uint16_t A_ADR; 8. uint8_t VccMin; 9. uint8_t VccMax; 10. uint8_t VppMin; 11. uint8_t VppMax; 12. uint8_t WordWriteTimeoutTyp; 13. uint8_t BufWriteTimeoutTyp; 14. uint8_t BlockEraseTimeoutTyp; 15. uint8_t ChipEraseTimeoutTyp; 16. uint8_t WordWriteTimeoutMax; 17. uint8_t BufWriteTimeoutMax; 18. uint8_t BlockEraseTimeoutMax; 19. uint8_t ChipEraseTimeoutMax; 20. uint8_t DevSize; 21. uint16_t InterfaceDesc; 22. uint16_t MaxBufWriteSize; 23. uint8_t NumEraseRegions; 24. uint32_t EraseRegionInfo[0]; /* Not host ordered */ 25. } __attribute__((packed));
nand flash结构图
对于flash,读取/写入的最小单元 是 Page/页,一般大小是2KB 4KB 8KB
擦除的最小单元是 Block/块,一般大小是128KB 256KB 512KB
管脚说明:
IO0 - IO7 :数据/地址复用
CLE :命令锁存
ALE :地址锁存
CE :芯片使能
RE :读使能
WE :写使能
WP :写保护
R/B :就绪/忙
典型特性:
1、页擦除时间是200us,慢的800us
2、块擦除时间是1.5ms
3、页数据读取到数据寄存器一般时间是20us
4、串行访问一个数据的时间是25ns
5、页寄存器(Page Register),对于每一片plane,都有用于缓存将要读写的一页数据,又叫页缓存
nand flash的读写数据流向:
举例:nand flash 数据读取时序图
物理地址 = 块大小 * 块号 + 页大小 * 页号 + 页内地址
案例:
型号K9K8G08U0A,8192个块,每个块64页,每个页2K
访问第7000个块中的第64页的1208字节的地址,物理地址 = 128K *7000 + 2K *64 +1208 = 0x36B204B8
nand flash的地址周期组成:
nand flash的地址周期有5个,2个列周期column address,3个行周期row address
A0 - A10是业内地址,范围0 - 2047
A11用于表示业内的oob区域,其大小是64字节
A12 - A30 是页号
A18 - A30 是块号
所以:0x36B204B8 = 11 0110 1011 0010 0000 0100 1011 1000
周期1 : A0 - A7 1011 1000 0xB8
周期2 : A10 - A8 100 0x04
周期3 : A19 - A11 010 0000 0 0x40
周期4 : A27 - A20 110 1011 0 0xD6
周期5 : A30 - A28 11 0 0x06
注意:A11用于oob位置,只有当页内地址属于2048-2111的时候,A11才会有效果
在Linux源码/drivers/mtd/nand/nand_base.c中,是这样处理的:
[cpp] view plain copy 1. static void nand_command_lp(struct mtd_info *mtd, unsigned int command, 2. int column, int page_addr) 3. { 4. ...... 5. /* Serially input address */ 6. if (column != -1) { 7. ...... 8. chip->cmd_ctrl(mtd, column1, ctrl); /* 发送Col Addr 1 */ 9. ctrl &= ~NAND_CTRL_CHANGE; 10. chip->cmd_ctrl(mtd, column >> 8, ctrl); /* 发送Col Addr 2 */ 11. } 12. if (page_addr != -1) { 13. chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr2, ctrl); /* 发送Row Addr 1 */ 14. chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 8, /* 发送Row Addr 2 */ 15. NAND_NCE | NAND_ALE); 16. /* One more address cycle for devices > 128MiB */ 17. if (chip->chipsize > (128 << 20)) 18. chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 16, /* 发送Row Addr 3 */ 19. NAND_NCE | NAND_ALE); 20. } 21. }
虽然操作是读取页内部分数据,但硬件仍会将整个页读取到页缓存中。
nand flash相关规范
ONFI 规范 Open Nand Flash Interface specification
有Intel主导,统一了nand flash的操作接口包括操作命令。
//onfi.org/specifications/
LBA规范
LBA Nand Flash : Logical Block Address,逻辑块寻址的Nand Flash,Toshiba主导
普通nand flash是按物理块寻址,缺点是坏块情况下的软件工作量繁重。
LBA把ECC校验、坏块管理、负载平衡的工作放在硬件上实现。
//www.toshiba-components.com/prpdf/5678E.pdf
嵌入式常用文件系统:
JFFS2 是RedHat基于JFFS开发的闪存文件系统。可读,可压缩的日志型文件系统,提供崩溃/掉电安全保护,使用了基于哈希表的日志节点结构,加快了对节点操作速度,支持数据压缩,提供“写平衡”支持,是目前最流行的文件系统。缺点是:文件系统已满,或者接近于满时,JFFS2运行变慢,因为碎片收集的问题
Yaffs 和jffs2类似的闪存文件系统,专为嵌入式系统使用Nand型闪存而设计的一种日志文件系统。比jffs2少了一个功能,因此速度更快,对内存要求比较小。自带Nand芯片驱动,提供了直接访问文件系统的API。用户可以直接对文件系统操作。相反,Jffs2在Nand闪存上表现得并不稳定,更适合Nor闪存
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