本文主要向大家介绍了Flash基础入门之STM系列 Flash操作，通过具体的内容向大家展现，希望对大家学习Flash基础入门有所帮助。

1、flash操作方法

1.1 对stm8的flash操作

#define BaseCfgaddr (uint32*)0x4000

/*
 * 函数名称    :   WriteAddrToFlash
 * 函数功能    :   数据写入Flash
 * 输入参数    :
 * 输出参数    :   无
 * 返 回 值    :   0或1
 * 其它说明    :   无
 * */
uint8 SYS_WriteDataToFlash(uint8* Data,uint32* addr,uint16Len)  
{      
    if(!Data)  
    return 0;           
    /*操作EEPROM，先进行解锁*/  
    FLASH_DUKR = 0xAE; /* 注意这里不能断点调试，否则会造成内部不同步，FLASH解锁失败*/
    FLASH_DUKR = 0x56;  
    FLASH_CR2 = 0x00;  
    FLASH_NCR2 = 0xFF;  
    if(!(FLASH_IAPSR & 0x08)) /* 检测对应的位是否解锁  */
    return 0;      
    memcpy(addr,Data,Len);  
    FLASH_IAPSR = (ST_UINT8)(~0x08); /* 重新上锁  */ 
    return 1;  
} 

按字节操作即每次写入一位

 SYS_WriteDataToFlash(Buf,BaseCfgaddr,WriteCfgSize);

1.2 stm32f的flash操作。

使用stm32f0k4

/*
 * 函数名称    :   WriteAddrToFlash
 * 函数功能    :   数据写入Flash
 * 输入参数    :
 * 输出参数    :   无
 * 返 回 值    :   0或1
 * 其它说明    :   
                              写入一个配置，每次写只用某一页开始写，不可一页中从起始地址写之后又从中间地址写入。
                              写第二个模块配置时，空间配置从下一页开始写。否则会擦除之前的页，写之前会先擦除该页。
 * */
uint8 Sys_WriteDataToFlash(uint8* pData,uint32 Address,uint32 Len)  
{      
    if(!pData)  
    return 0;  
    uint32_t SLen = 0;
    uint32_t Wdata; 
    FLASH_Unlock();

    FLASH_ErasePage(Address); // 写之前擦除要写入的整页
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR); 
    /* Clear pending flags (if any) */  
    do
    {
        memcpy(&Wdata, pData, 4);// 
        FLASH_ProgramWord(Address,Wdata);
        Address += 4; 
        pData += 4;
        SLen += 4;
    }while(SLen<Len);
    FLASH_Lock();
    return 1;
}

/*
 * 函数名称    :   Sys_ReadFlashToBuf
 * 函数功能    :   从flash中读出数据到buf查看
 * 输入参数    :
 * 输出参数    :   无
* 返 回 值    :
 * 其它说明    :   
 * */
void Sys_ReadFlashToBuf(uint8* buf,uint32 addr,uint16 len)
{
    while(len--)
    {
        *buf = *(uint8*)addr;
         addr++;
         buf++;
    }
}

32位机一个字为4个字节，库函数提供两种形式，一种是半字写入另一种是一个字写入，以上使用的是一个字写入的方式

实际操作过程中是将一个结构体内容写入flash，先将该结构体以字节对其，将该结构体指向buf存储，再将该buf按字节写入flash。

读取时将内容读到buf，在将该buf转为结构体，即可准确提取出结构体中定义的值

2、操作中所犯错误及注意点

1、内存地址

      错误：从0x08000000基地址开始操作flash，一执行读写flash，程序就卡死。

      要操作flash的地址，如果程序是存储在main flash memory中开始执行，进入用户程序，我们操作flash就不能从flash基地址开始操作，这部分已经被应用程序占用。

      其操作flash地址值要大于本代码所占用FLASH的大小+0x08000000 

      用户程序代码占用flash大小可从编译时候看出来

        8 394 bytes of readonly  code memory 

       84 bytes of readonly  data memory 

       2 828 bytes of readwrite data memory 

        #define FLASH_BASE_ADDR                       (uint32_t)(0x08000000u)
        #define FLASH_STARTADDR_PAGE11    (FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11)

计算可写在第几页，最好的方法是从最后一页开始写，根据手册了解flash大小，页数，勿超出flash大小，否则易出现HardFault_Handler错误

2、将字转换为按字节写入

       错误: 写入的数据与实际的数据值不同

       从cotex-m0的库函数来看，对flash的操作时以字或者半字来操作。实际使用操作多按1个字节操作，造成不对齐。

        uint32_t Wdata; 

        memcpy(&Wdata, pData, 4);// 
        FLASH_ProgramWord(Address,Wdata);
        Address += 4; 
        pData += 4;
        固按以上操作，将4个字节转换为按字写入，统一了使用的所有工程，再将地址按四个字节偏移。

3、宏定义地址

       错误：flash读取时数据出错，内容指向错误。

       SYS_BASE_CFG_T *pCfg = (SYS_BASE_CFG_T *) FLASH_STARTADDR_PAGE11;

       操作是将flash页11的地址读取出来，指向转为结构体SYS_BASE_CFG_T 形式读取数据

       但在读取就出错，程序运行到该句即出现内存操作错误中断产生

        void HardFault_Handler(void)
        {
             while (1)
             {
             }
        }

        从运行参数上看，当运行到该句，地址指向并不是预先设计好的11页地址

        #define FLASH_STARTADDR_PAGE11    FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11

        由于宏定义加操作没有加括号，导致实际偏移值出现错误。宏定义式子为防错误一定要加括号

         #define FLASH_STARTADDR_PAGE11    (FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11)

4、HardFault_Handler  

        该中断产生的一般条件是内存非法操作，包括数组越界、内存溢出、指针地址错误、野指针存在

        在stm8中当内存非法操作时mcu内部会产生复位，从复位源可查看为非法操作符复位  

5、页大小

        flash操作擦除时可以以页为单位擦除或者以整片flash擦除。

        在使用flash时，如果需要写入两组不同的数据并且在一页以内，建议直接使用一页一组数据，由于内存够大而且防止误操作到其他组数据。

        M3或者M0内核大容量与小容量的flash的页大小有所区别，小容量以1024字节 1k为一页，大容量以2048字节2k 为一页。所以操作具体内存时以

         (FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11)形式，更直观看出数据位置，便于IDE调试查看。

对结构体的flash写入写出

uint16 ReadToFlash(uint8 *pCfg)
{
    CfgInfo.pBaseCfg = (BASE_CFG_T *)pCfg;
    return sizeof(BASE_CFG_T);
}

void ReadAllCfg(void)
{
    uint8 *pRead = (uint8*)FLASH_STARTADDR_PAGE11; // 转化为unsigned char 按字节操作 32位一次偏移4字节
    uint32 CfgLen = 0;
    
    CfgLen = ReadToFlash(pRead );
    pRead += CfgLen;
    CfgInfo.SysReadCfgSize += CfgLen;
}

uint16 WriteToFlash(uint8 *pCfg)
{
     CfgInfo.pBaseCfg = (BASE_CFG_T *)pCfg;
     CfgInfo.pBaseCfg->WriteFlashFlag = CFG_FLASH_FLAG;
     CfgInfo.pBaseCfg->FeedWatDogTime = 200;
     return sizeof(BASE_CFG_T);
}

static void WriteAllCfg(void)
{
    uint8 *pWrite = CfgInfo.CfgBuf;
    uint32 CfgLen = 0;
    
    CfgLen = WriteToFlash(pWrite );
    pWrite += CfgLen;
    CfgInfo.SysWriteCfgSize += CfgLen;
    Sys_WriteDataToFlash(CfgInfo.CfgBuf,FLASH_STARTADDR_PAGE11,CfgInfo.SysWriteCfgSize);
    Sys_ReadAllCfg();  
}  

void Sys_CfgInit(void)
{
    BASE_CFG_T *pCfg = (BASE_CFG_T *) FLASH_STARTADDR_PAGE11;

 /*在要写入的一个buf的第一位作为写入标志位，程序下次执行到这儿就不再重写，而只是读取这个flash的内容，实现配置的形式操作。*/
    if(pCfg->WriteFlashFlag != CFG_FLASH_FLAG) 

    {
        /* 写配置到FLASH */
        WriteAllCfg();
    }
    else
    {
        ReadAllCfg();
        memcpy(CfgInfo.CfgBuf, (char *)FLASH_STARTADDR_PAGE11, CfgInfo.SysReadCfgSize);
    }
}     

typedef __packed  struct 
{
    uint8             WriteFlashFlag;    /* FLASH写标志 */
    uint8             DebugFalg;           /* 调试使用标志 */
    uint32           FeedWatDogTime;       
}BASE_CFG_T;            /* 系统基本配置 */

typedef __packed  struct
{
    BASE_CFG_T  *pBaseCfg;       /* 系统基本配置参数 */
    uint8            SysWriteCfgSize;
    uint8            SysReadCfgSize;    
    uint8          CfgBuf[SYS_CFG_SIZE]; /* 所有人的配置文件 */
}CFG_INFO_T; /* 配置配置参数的 */

 CFG_INFO_T        CfgInfo;

#define  CFG_FLASH_FLAG (0x57)

以上内容为个人使用过程的方法笔记及个人认为的注意点、知识点.

内容不全面，如之后使用有所补充随时更新。

如您发现有所问题，希望给我意见。

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