本文主要向大家介绍了Flash基础入门之NAND flash学习所获----（Zac），通过具体的内容向大家展现，希望对大家学习Flash基础入门有所帮助。

Nand Falsh外围电路：peripheral circuit
1.Nand flash里至少有2个state Machine（controller），即2个主控。
一个主控：负责处理前端事情。
一个主控：负责后端任务处理。
2.DDC：Dynamic Data cache（包括SDC，PDC，TDC，DDC1，DDC2），有的解析为Page buffer，或者sense Amps。
镁光的NAND flash：L94C：单die 8G，L95B：单die 16G
大致的物理结构图：

所以体积：2个L94C颗粒 > 1个L95B颗粒
3.Block Select Circuit
4.Data Path（把数据传送到接口的通路）
5.charge Pump（把外部供给的5V电压--->内部20V）
 
 

Bl：bitline又分为ABL（all bitline） SBL（Sheild bitline）
注意：16K的page：会有16384根bitline。
注意：L95B为SBL
1WL下有4个page：even lower page，odd lower page，even upper page，odd upper page
　　phsion emmc颗粒L94C。
open block：没写完的Block
　　a.slc open:写小数据
　　b.Mlc open:写大数据
　　c.slc backup:备份
一般一个颗粒中 bitline会保留一些余量，我们是看不到的。bitline如果坏了，是可以做替换repaire的。
一个颗粒中，Dummy wordline会有2个，最顶上一个和最底下一个。
 
NVDDR1模式：发cmd时，以clk的上升沿触发
Data Input时：NVDDR1和NVDDR2以DQS为准；Asy模式以WR信号为准
Data output时：Asy模式以RE为准，且在稳定期，发出数据。
 
VT：阀值电压
VT（ER）< VT（pro） 

program Distrub：会引起如右边的虚线，从而可能导致一次read读取的数据出错，需要read retray，而read retray次数，由你编程决定。
 
L0是少于0，其它L都是大于0

Write：FC中有电子 0
Erase：FC中无电子 1
注意：阀值电压：VT（ER）<VT（RD）< VT（Wr）
注意：Vpass>VT（write）>VT（Erase）
 
回流焊：最高温度260度，200度以10S
镁光/记忆：只能保证2次回流焊。
镁光的颗粒，Spec上说3K PEC，实际可达到5K~7K
东芝的颗粒，Spec上3K，那就3K。
 
one pass program：电压控制比较难
two pass program：2,8原理。

 
 
 判断V（read）是P/E状态：
（1）：先充电bitline===》Bl一个高电压VD。
（2）：其它三极管加Vpass电压。
（3）：给V(read)加0
状态图：

以上就介绍了Flash的相关知识，希望对Flash有兴趣的朋友有所帮助。了解更多内容，请关注职坐标常用软件Flash频道！