本文主要向大家介绍了Flash基础入门之Nand flash基本原理，通过具体的内容向大家展现，希望对大家学习Flash基础入门有所帮助。

　　前面了解了随机存取存储器的基本原理，其主要是通过电容的充放电来保证数据的读写，当掉电后，其数据也丢失了，这节我们主要学习下flash的基本组成和原理。现在Flash在嵌入式系统中的地位和pc上的硬盘类似，用于保存系统运行所必须的系统，数据和应用层序，与内存掉电后丢失不同，它在掉点后仍可永久保存。
　　1. 闪存存储单元
　　对于闪存，我们常见的有SLC和MLC两种，细分还有eSLC和eMLC等，因为闪存式一种电压元件，因此它是以不同的电压范围来代表不同的数据，现在看看两者之间的区别。　　1） SLC(single-level cell）：单阶存储单元，也就是闪存的每一个存储单元存储1bit的数据，存储的数据代表0还是1是基于vth的电压阈值来判定，对于闪存写入，就是对其进行充电，使得它的电压值超过电压判定点A，存储单元就表示为0(已编程)，如果没有充电或者电压阈值低于A点，就表示1(已擦除）。主要针对军工，企业级应用，有着高速写入，低出错率和耐用性。

　　2）MLC（Multi-level cell)多阶存储单元，其是以每个存储单元存储2bit的数据，存储的数据是"00","01","10","11"也是基于电压的阈值的判定，其被分成4份。相对于SLC，MLC的每个单元是2bit，那么其容量也会大一些，同时其存储单元中存放更多的数据，那么其结构也相对复杂，出错的机会也比较大。主要针对的是消费级应用，有着高容量，低成本，使用于USB闪存，手机，数码相机等存储卡。

　　2. 闪存内部原理
　　由其存储的颗粒结构，知道闪存式一种电压元件，其靠电压来存储数据，那么来看看其结构以及工作原理。闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效应管(MOSFET)：源极，漏极和栅极，其工作原理与场效应管类似，都是电压利用控制源极和漏极之间的通断，不同的是场效应管是单栅极结构，而闪存式双栅极结构，在栅极和硅衬底之间还有一个浮置栅极，浮置栅极是有氮化物夹在二氧化硅材料之间构成。

1） 对于闪存的写入，即控制栅极去充电，对栅极加压，使得浮置栅极存储的电荷越多，超过阈值，就表示0
2） 对于闪存的擦除，即对浮置栅极进行放电，低于阈值，就表示1
　　理解了闪存保存数据的基本原理后，我们来针对K9F1G08X0C这款芯片来看看其硬件组成和工作原理。其管脚分布如下
   

信号名称
管脚名称
类型
描述

数据线
I/O0 ~ I/O7
INPUTS/OUTPUTS
用来传输命令/地址/数据，仅在读操作的时候用来输出数据

命令锁存使能
CLE
Input
CLE为高时，在WE#上升沿，命令通过I/O[7:0]锁存到命令寄存器，当不传输命令时，CLE应该为低

地址锁存使能
ALE 
Input
ALE为高时，在WE#下降沿，地址信息通过I/O[7：0]锁存片内的地址寄存器。如果传输的不是地址信息，ALE应该为低

片选
CE#
Input
一旦器件进入PROGRAM或ERASE操作，CE#可以变无效

读使能
RE#
Input
 

写使能
WE#
Input
在WE#上升沿命令/地址/数据锁存

写保护
WP#
Input
当为低时候，所有的PROGRAM和ERASE都被禁止

准备/忙状态
R/B
 
集电极开路输出。外部需要接上拉电阻，这个脚表示芯片正在进行PROGRAM或ERASE操作。在读操作期间，表示数据正从阵列中传输到串行数据寄存器中，一旦这些操作完成，R/B#回到High-Z状态。

电源
VCC
 
 

地
VSS
 
 

 由上面来看，nandflash的外围引脚很少，没有地址线，只有数据线，相对于由数据线和地址线的norflash，大大的减少了引脚数目，使得芯片的体积更小，硬件设计也更简单。现在的数据线是复用的，也就是说既可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，那么是怎么做到的呢？硬件为了区分当前到底是需要传啥？设计了了CLE/ALE命令，所以你必须先发一个CLE/ALE命令，告诉控制器，我现在是命令还是地址，这样就能识别并做相应的处理。我们了解了硬件的连接，那么对于flash是怎么存储的呢？下面来看看这款芯片的的存储布局

由图可以看出一片Nand flash为一个设备(device)，其数据存储分层为：
1.  1个设备（device）=1024个块(Blocks)，块也是Nand flash擦除操作的最小单位。
2.  1个块（block) = 64页(Pages)，页是Nand flash写入的最小单位，对于每一个页，由数据块区域和空闲区域。数据区，也容易理解，就是存储一些数据，而对于空闲区，一般也叫做OOB(out of Band)，这个区域，是基于Nand flash的硬件特性设计的，Nand flash在数据读写的时候很容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错的机制，此机制就被叫做ECC，所以设计了该多余的区域，用来放置数据的校验值。
3.  1个页(page) = 数据块大小(2K)+OOB块大小(64Bytes)
那么通过上面我们就可以计算出怎么访问一个物理地址：块大小*块号+页大小*页号+页内地址。
从硬件的图来看，对于K9F1G08X0C这款芯片，其容量为132MB，那么就应该需要28条地址先，而现在只有8条地址线，对于Nand flash就导入了地址周期的概念，对于该款flash，所以需要4个周期：2个列地址(Column)周期和2个行地址(ROW)周期。从下面的功能框图来看，对于列地址A0--A11，就是页内地址，地址范围就是0--4094，与页内地址(2K+64)吻合，其实对于页内地址，其实只需要A0-A10，而对于多出来的A11，是用来表示页内的oob区域。那么对于A12-A27就是用来表示属于哪一个块和块里面的哪一个页号。

通过前面对于nand flash的基本原理的讲解，下面来看看怎么操作nand flash，下面是K9F1G08X0C支持的命令格式。

下图是发送一个命令/地址/数据的完整过程

通过时序图看出，上面有很多时间参数，在设置Nand flash控制器的时候，需要确认这些时间参数是否在合适的范围内，对于控制命令都是通过上面的几个基础命令组合而来，此时对于nand flash的基本控制方式和原理已经介绍完。

以上就介绍了Flash的相关知识，希望对Flash有兴趣的朋友有所帮助。了解更多内容，请关注职坐标常用软件Flash频道！